返回

第604章 28nm浸没式DUV光刻机原型机

首页
关灯
护眼
字:
大
中
小
上一章 回目录 下一页 进书架
    第604章 28nm浸没式DUV光刻机原型机 (第1/2页)

    魔都,张江高科技园区,上微电子总部。

    在最高级别的超净实验室内,贺建国总工正带着十几名核心研发人员,围绕着一台刚刚组装完毕、体积庞大得如同两层楼高的小型工厂的机器,进行着紧张的最后整机联调。

    这,就是代表着华国目前半导体工业制造最高水平的——28nm浸没式DUV光刻机第一台原型机。

    相比于之前稳定量产的65nm干式光刻机,这台机器的内部结构发生了翻天覆地的变化。

    贺建国指着大屏幕上不断跳动的实时监控数据,声音因为连续熬夜而有些沙哑,但透着难以掩饰的激动。

    “各单位注意汇报最新参数!”

    “浸液系统循环稳定,水体折射率保持在1.44绝对值,没有任何微气泡产生!光学物镜波前像差控制在设计容差范围内!”负责长天光学浸没式物镜系统(NA 1.35)的技术员大声汇报道。

    “天卓精密第二代双工件台,硅片定位精度稳定在纳米级别,台面同步运动无明显抖动误差!”

    “天虹激光193nm准分子光源,激光脉冲能量输出稳定,功率死死地钉在90瓦,完全满足28nm制程多重曝光的极限能量需求!”

    听完这三大核心部件的联调数据,贺建国长长地舒了一口气。

    这台28nm光刻机之所以能如此迅速地成型,最大的底气,就来自于天宇集团这几年近乎疯狂的底层投资。

    这台机器的三大核心部件——物镜系统、双工件台、准分子光源,全部是长天光学、天卓精密和天虹激光在吸收了65nm研发经验后,砸出海量研发经费迭代出来的最新版本。

    “立刻启动最后一项关键验证!”贺建国下达了最终指令,“进行28nm极限线宽的晶圆多重曝光均匀性测试!只要这项数据达标,咱们这台国产28nm浸没式光刻机,就可以正式宣告进入工程样机交付的最后倒计时!”

    实验室内的气氛瞬间紧张到了极点,所有人都死死地盯着屏幕,等待着最后曝光结果的显现。

    ……

    郑州,天宇集团总部。

    陈立峰刚刚从魔都飞回来,连轴转的行程让他满脸疲惫,但精神却十分亢奋。

    他手里拿着一份绝密文件,直接敲开了许晨办公室的大门。

    “许总,大好消息!魔都那边贺总工传来确切情报,28nm光刻机原型的多重曝光测试通过了!”陈立峰激动地将报告递到许晨面前,“现在距离工程样机下线,只差最后的微调了!”

    许晨接过报告,看着上面那些代表着胜利的数据,嘴角终于露出了满意的笑容。

    他知道,这台光刻机能这么快进入验证阶段,简直是一个奇迹。

    原本在半导体行业的普遍认知中,从65nm跨越到28nm浸没式,中间横亘着无数技术壁垒。

    阿斯麦当年走这条路,花了整整五年多的时间,烧掉了几十亿欧元。

    而华国,满打满算,只用了不到两年的时间!

    陈立峰平复了一下激动的心情,开始进行汇报。

    “许总,这次28nm能这么快出成果。说实话,咱们天宇在底层砸的钱只是点火的引子,真正让这台机器飞起来的,是国家政策那股史无前例的超

    (本章未完,请点击下一页继续阅读)
上一章 回目录 下一页 存书签